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自由空间声光调制器 AOM

我们供应各类声光调制器,包括声光Q开关、声光调制器、可调滤光器、调节器、频移器。目前主要供应两种声光调制器:自由空间式声光调制器和光纤耦合声光调制器
  • 产品经理:
    程经理
  • 电话(同微信):
    181-6269-8959
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STG系列自由空间声光调制器

标准的自由空间声光调制器用于对激光束的数字或模拟的强度调制。主要技术参数如下:

自由空间声光调制器

  • 波长范围:240nm 到 2100nm
  • 驱动频率:20MHz 到 350MHz
  • 光学上升沿时间:5ns
  • 调制带宽:宽达100MHz
  • 工作介质:二氧化碲、钼酸铅、熔融石英、石英晶体、燧石玻璃  

吉利彩票计划 使用数字射频驱动器,外控TTL信号可以快速开关激光束;使用模拟射频驱动器,可以调节输出激光功率和输入激光功率的比率,典型调节范围为0%到85%。 最大调制带宽或光学上升沿时间是超声波穿越激光束时间的函数。因此,为了获得最快的速度,一般将激光束聚焦在调制器中最小光斑。

型号 波长nm 上升时间ns/mm 通光口径mm 射频频率MHz 材料
I-M110-4C19R19-3-GH93 193-266 110 4 110 熔融石英
3200-1220 257 10ns 0.25 200 石英晶体
I-M110-3C10BB-3-GH27 300-400 113 3 110 石英晶体
I-M110-3C10T-3-GH72 355 113 3 110 石英晶体
I-M80-6.5C10T-4-GH60 355 113 6.5 80 石英晶体
I-M110-2C10B6-3-GH26 400-540 113 2 110 石英晶体
3200-121 442-488 153 0.32nm 200 二氧化锑
3200-120 442-488 153 0.45 200 二氧化锑
3110-121 442-488 153 0.6 110 二氧化锑
3080-125 415-900 153 2 80 二氧化锑
3100-125 440-850 153 1.5 100 二氧化锑
3200-125 440-850 153 1.5 200 二氧化锑
3350-125 440-850 153 1.5 350 二氧化锑
3110-120 440-850 153 0.6 110 二氧化锑
3080-120 440-850 153 1 80 二氧化锑
3350-120 488-532 153 0.1 350 二氧化锑
3350-111 488-650   2x0.15 350 二氧化锑
I-M080-2C10B11-4-GH95 700-1000 113 2 80 石英晶体
3200-124 780-850 113 0.32 200 二氧化锑
3080-122 780-850 153 1 80 二氧化锑
3200-1113 870-1250 153 0.1 200 二氧化锑
I-M041-2.5C10G-4-GH50 1030-1064 113 2.5 40.68 石英晶体
I-M080-2C10G-4-AM3 1030-1064 113 2 80 石英晶体
I-M080-4C10G-4-GH60 1030-1064 113 4 80 石英晶体
I-M068-5C10G-U5-GH100 1030-1064 113 5 68 石英晶体
3110-197 1030-1090 153 1.25 110 二氧化锑
3080-194 1060 153 1.75 80 二氧化锑
3120-193 (97-03248-04) 1064 73 2.5x0.6 120 二氧化锑
3165-1 1300-1550 153 0.6 165 二氧化锑
I-M040-2C8J-3-GH84 1550 260 2 40 AMTIR
I-M041-3C2V5-4-IS8 2000 153 3 40.68 二氧化锑
I-M041-1.4C10V5-4-GH49 1900-2100 113 1.4 40.68 石英晶体
I-M040-2C8B1-3-GH84 1900-2100 260 2 40 AMTIR
I-M0XX-XC11B76-P5-GH105 5.5µm 120 9.6 40.68 - 60
I-M050-10C11V49-P5-GH77 5.5 μm 120 7.0, 9.6 50
I-M050-10C11V41-P3-GH75 9.4 μm 120 9.6 40/60
I-M041-xxC11xxx-P5-GH77 9.4/10.6μm 120 7.0, 9.6 40.68
I-M050-10C11V41-P3-GH75 9.4µm 120 9.6 40/60
I-M041-XXC11XXX-P5-GH77 10.6/9.4µm 120 9.6 40.68

下表列出了我们旧型号的自由空间调制器,有些我们还有库存,大多数都有相似的替代品。如有需求,请与我们联系。

型号 产品说明 驱动
I-FS040-1.5C2E-1-ME1 (FS040-2E-ME1) 630-690nm, 40MHz, 孔径4x2mm 集成射频驱动
I-FS040-1.5S2E-1-ME1 (FS040-2E-ME1) 630-690nm, 40MHz, 孔径4x2mm 集成射频驱动
I-FS040-2C2E-3-OL3 (FS040-2E-OL3) 633-680nm, 40MHz, 孔径2x4mm  
I-FS040-2S2E-1-GH38 630-67nm,40MHz, 孔径2.0mm , 15VDC 电源 集成射频驱动
FS040-2C-AR1 532nm, 40MHz, 孔径1.5mm 集成射频驱动
FS040-2E-AR1 630-690nm, 40MHz, 孔径1.5mm 集成射频驱动
I-M041-2.5C10G-4-GH50 1030-1064nm, 40.68MHz, 上升时间113ns/mm , 孔径2.5mm , RF<20W  
I-M041-7C11Q-P5-GH77 10.6um, 40.68MHz, 上升时间120ns/mm, 有效孔径7mm, 透过率 >96.5%, 最大 RF功率 100W HP041-125ADG-A10
I-FS080-2C2G-3-LV1
(M080-2G-LV1)
高效率AOM,适用于不需要快速调制的激光器, RF 0.5W A35080
N21080-1DM, N21080-1AM
I-FS080-3S2E-1-GH39 633nm, 80MHz 上移,孔径 3mm  
I-M080-2.5C10G-4-GH25 400-540nm,110MHz, 上升时间113ns/mm ,孔径2.5mm, RF<5W A35080
N31080-5DM, N31080-5AM
I-FS110-2C2B8-3-GH2
(M110-2B/F-GH2)
480-800nm, 上升时间150ns, 110MHz, 孔径2mm, RF<2W A35110,
N21110-2AM, N21110-2DM
I-M110-2C10B6-3-GH26
(M110-10UV-OR1)
351 to 364nm, 110MHz, 上升时间110ns, 适用于大功率的石英晶体, RF 3W A35110
N31110-3DM, N31110-3AM
I-M110-2C10B6-3-GH26 400-540nm, 110MHz, 上升时间113ns/mm ,孔径2mm, RF <5W A35110
N31110-5DM, N31110-5AM
I-M110-2.5C10B6-3-GH26 400-540nm, 110MHz, 上升时间113ns/mm, 孔径2.5mm,高损伤阈值, RF<5W A35110
N31110-5DM, N31110-5AM
I-M110-3C10B6-3-GH27 300-400nm, 110MHz, 上升时间113ns/mm, 孔径2.5mm , 高损伤阈值,, RF<3W  
I-M110-3C10B6-3-GH27
(M110-10C-TR7)
514- 532nm, 高损伤阈值, , RF 5W A35110
N31110-5DM, N31110-5AM
I-M120-0.7C2G-GH42 1064nm, 120MHz, 上升时间153ns/mm, 孔径700um, RF<3W  
I-M150-0.4C2G-GH42 1064nm, 150MHz, 上升时间153ns/mm , 孔径400um, RF<2W  
I-M200-0.75C2G-3-SO8 1064nm, 200MHz, 上升时间153ns/mm ,孔径 0.75mm, RF<3W  
12038-3-BR-TE 二氧化硅, 多波长可用, 38MHz, 孔径2mm,
偏转角 6.75mrad, RF 1W
11038-1ML
12038-3-TE 二氧化硅, 1064nm, 38MHz, 孔径3mm,
偏转角, 6.75mrad, RF 1W
11038-1ML
12041-3-BR-TE 二氧化硅, 多波长可用,41MHz,孔径2mm,
偏转角7.3mrad,RF 1W
11041-1ML
12041-3-TE 二氧化硅, 1064nm, 41MHz, 孔径3mm, 偏转角7.3mrad, RF 1.2W 11041-1ML
12050-3-BR-TE 二氧化硅, 多波长可用, 50MHz, 孔径2mm, 偏转角8.9mrad, RF 1W 11050-1ML
12050-3-TE 二氧化硅, 1064nm, 50MHz, 孔径3mm, 偏转角8.9mrad, RF 1.2W 11050-1ML
12080-3-BR-TE 二氧化硅, 多波长可用,80MHz, 孔径2mm, 偏转角14.2mrad, RF 1W 11080-1ML
12080-3-TE 二氧化硅, 1064nm, 80MHz, 孔径 3mm, 偏转角14.2mrad, RF 1.2W 11080-1ML
13389-BR 二氧化硅, 多波长可用, 389MHz, 孔径60um, 偏转角41mrad, RF 0.5W 64389-SYN-9.5-X
15180-1.06-LTD-GAP 磷化镓, 1.06um, 180MHz, 孔径0.3mm, 偏转角28.7mrad, RF 1.7W  
15210 二氧化碲, 440-850nm, 210MHz, 孔径0.2mm, 偏转角31mrad, RF1W 21210-1xx
15210-FOA/71002 二氧化碲,440-850nm , 210MHz, 孔径0.2mm, 偏转角31mrad, RF1W 21210-1xx
15210-FOA 二氧化碲, 440-850nm, 210MHz, 孔径0.2mm, 偏转角 31mrad, RF1W 21210-1xx
15260 二氧化碲,  440-850nm, 260MHz, 孔径0.2mm, 偏转角39mrad, RF0.7W 21260-.7xx
15260-FOA/71002 二氧化碲, 440-850nm, 260MHz, 孔径0.2mm, 偏转角 39mrad, RF1W 21260-1xx
15260-FOA 二氧化碲, 440-850nm, 260MHz, 孔径0.2mm, 偏转角39mrad, RF1W 21260-1xx
17389-1.06-LTD-GaP 磷化镓, 1.06um, 389MHz, 孔径0.15mm, 偏转角62mrad, RF 1W 11389-5AM,
64389.5-SYN-9.5-X
17389-.93 二氧化碲, 700-1064nm, 389MHz, 孔径70um, 偏转角 73mrad, RF 0.7W 11389-5AM,
64389.5-SYN-9.5-X
17389-.93-FOA 二氧化碲, 700-1064nm, 389MHz, 孔径70um, 偏转角73mrad, RF 0.7W 11389-5AM,
64389.5-SYN-9.5-X
17440 二氧化碲,440-850nm wavelength, 440MHz, aperture 90um, deflection 65mrad, RF 0.8W 11440-.8Ax
17440-FOA 二氧化碲, 440-850nm, 440MHz, 孔径 90um, 偏转角65mrad, RF 0.8W 11440-.8Ax
23080-1-LTD 二氧化碲, 440-850nm, 80MHz, 孔径1mm, 上升时间150 ns/ mm, 偏转角11.88mrad, RF 1W 21080-1xx
23080-1-.85-LTD TeO2, 700-1000nm wavelength, 80MHz, aperture 1mm, 150ns/mm rise time, deflection 16mrad, RF 1W 21080-1xx
23080-1-1.06-LTD 二氧化碲, 1064nm, 80MHz, 孔径1mm, 上升时间150ns/mm , 偏转角 20mrad, RF<1.25W 21080-1xx
23080-1-1.06/1.3-LTD 二氧化碲,1.06-1.3um, 80MHz, 孔径1mm, 上升时间155ns/mm, 偏转角24.4mrad @ 1.3um, 20mrad @ 1.06um, RF<2W @ 1.3um, <1.2W @ 1.06um 21080-1xx
23080-1-1.3-LTD 二氧化碲,1300nm, 80MHz, 孔径1mm, 上升时间150ns/mm , 偏转角25mrad, RF<1.25W 21080-1xx
23080-1-1.55-LTD 二氧化碲, 1550nm, 80MHz, 孔径1mm , 上升时间150ns/mm, 偏转角29mrad, RF<2W 21080-2xx
23080-2-LTD 二氧化碲,, 440-850nm, 80MHz, 孔径 2mm, 上升时间150ns/mm, 偏转角11.88mrad @ 633nm, RF 1W 21080-1xx
23080-2-.85-LTD 二氧化碲, 700-1000nm, 80MHz, 孔径2mm, 上升时间150ns/mm, 偏转角15mrad @ 850nm, RF<2W 21080-2xx
23080-2-1.06-LTD 二氧化碲,1064nm, 80MHz, 孔径2mm, 上升时间150ns/mm , 偏转角 20mrad, RF<2W 21080-2xx
23080-2-1.3-LTD 二氧化碲, 1300nm, 80MHz, 孔径2mm , 上升时间150ns/mm, 偏转角24.4mrad, RF<3.2W 21080-3xx
23080-2-1.55-LTD 二氧化碲,1550nm, 80MHz, 2mm aperture, 上升时间150ns/mm, 偏转角29mrad @ 1550nm, RF<3.2W 21080-3xx
23080-3-LTD 二氧化碲, 440-850nm, 80MHz, 孔径3mm, 上升时间150ns/mm, 偏转角11.88mrad @ 633nm, RF<1.2W 21080-1.2xx
23080-3-.85-LTD 二氧化碲,700-1000nm, 80MHz, 孔径3mm, 上升时间150ns/mm, 偏转角 16mard @ 850nm, RF 2W 21080-2xx
23080-3-1.06-LTD 二氧化碲,1064nm, 80MHz, 孔径3mm, 上升时间150ns/mm, 偏转角 20mard, RF<2W 21080-2xx
23080-3-1.3-LTD 二氧化碲,1300nm, 80MHz, 孔径3mm, 上升时间150ns/mm , 偏转角24.4mard, RF<4W 21080-4xx
23110-.5 二氧化碲, 440-850nm, 110MHz, 孔径0.5mm, 上升时间150ns/mm , 偏转角16.3mard @ 633nm, RF<1W 21110-1xx
23110-1-LTD 二氧化碲, 440-850nm, 110MHz, 孔径1mm, 上升时间150ns/mm, 偏转角16.34mard @ 633nm, RF<1W 21110-1xx
24080-1 六氟化硫, 440-850nm, 80MHz, 孔径1mm, 上升时间185ns/mm , 偏转角14.4mrad @ 633nm, RF<1W 21080-1xx
26035-2-1.55-LTD AMTIR, 1300-1600nm, 35MHz, 孔径2mm, 上升时间260ns/mm, 偏转角 20.6mard @ 1550nm, RF<0.5W 21035-0.5xx
26055-1-1.55-LTD AMTIR, 1300-1600nm , 55MHz, 孔径1mm, 上升时间260ns/mm, 偏转角32.4mard @ 1550nm, RF<0.5W 21055-0.5xx
35085-.5 熔融石英, 400-540nm, 85MHz, 孔径0.5mm, 上升时间110ns/mm , 偏转角5mrad @ 514nm, RF<6W 31085-6xx
35085-0.5-350 熔融石英, 300-400nm, 85MHz, 孔径0.5mm, 上升时间110ns/mm, 偏转角5mrad@350nm, RF<6W 31085-6xx
35085-3 熔融石英, 400-540nm, 85MHz, 孔径3mm, 上升时间110ns/mm, 偏转角5mrad @ 488nm, RF 6W 31085-6xx
35085-3-350 熔融石英, 300-400nm, 85MHz, 孔径3mm, 上升时间110ns/mm, 偏转角5mrad @ 350nm, RF 3W 31085-6xx
35110-2-244 KrF级熔融石英, 244nm, 110MHz, 孔径2mm, 偏转角4.5mrad, RF 2W 21110-2xx
35110-2-244-BR KrF级熔融石英, 244-260nm, 110MHz, 孔径2mm, 偏转角4.5mrad @ 244nm, RF 4W 31110-4xx
35110-3-244-BR-KRF KrF级熔融石英, 244-260nm, Brewster窗口, 110MHz, 孔径 2mm, 偏转角4.5mrad @ 244nm, RF 4W 31110-4xx
35210-BR/71004 熔融石英, 300-700nm, 210MHz, 孔径0.13mm, 偏转角17mrad, RF 6W 31210-6xx
35210-BR 熔融石英, 300-700nm, 210MHz, 孔径0.13mm, 偏转角17mrad, RF 6W 31210-6xx
35250-.2-.53-XQ 石英晶体, 532nm, 250MHz, 孔径 0.2mm, 偏转角23mrad, RF 6W 31250-6xx
37027-3 锗,10.6um, 27.12MHz, 孔径3mm, 偏转角52mard, RF 30W 39027-30DSA05
37027-5 锗,10.6um, 27.12MHz, 孔径5mm, 偏转角 52mrad, RF 30W 39027-35DSA05
37027-8-10.6 锗, 10.6um, 27.12MHz, 孔径8mm, 偏转角52mard, RF 50W 39027???
37040-5 锗, 10.6um, 40MHz, 孔径 5mm, 偏转角78mard, RF 35W 39040-35DSA05-A
37041-8-4.5 锗,4-5um, 40.68MHz, 孔径8mm, 偏转角33mard, RF 15W 39040-35DSA05-A???
47040-5-.7-RA 二氧化碲, 655-850nm, 40MHz, 孔径5mm, 偏转角47mrad, RF<0.6W  
48060-8/4-1.0-COL 二氧化碲, 800-1200nm, 54-84MHz, 孔径 8x2mm, 偏转角23mrad, RF<100mW  
MFS030-3S2C-5-6.5DEG 二氧化碲, 532nm, 30MHz, 孔径3mm, 上升时间1us/mm, 偏转角24mrad, RF<0.2W MLP030-1DC
MLP030-1AC-A1
(Former 21xxx-Yzz)
MFS030-3S2E-5-6.5DEG 二氧化碲,633nm, 30MHz, 孔径3mm, 上升时间1us/mm, 偏转角 28mrad, RF<0.8W MLP030-1DC
MLP030-1AC-A1
(Former 21xxx-Yzz)
MFS040-35/13S2C-3 二氧化碲, 532nm, 40MHz, 孔径35x13mm, 上升时间1us/mm, 偏转角34.4mrad, RF<1.2W  
MFS050-3S2C-5-6.5DEG 二氧化碲, 532nm, 50MHz, 孔径3mm, 上升时间1us/mm, 偏转角40mrad, RF<0.5W  
MFS050-5S2E-5-6.5DEG 二氧化碲, 633nm, 50MHz, 孔径5mm, 上升时间1us/mm, 偏转角48mrad, RF<1.5W MLP050-1.5DC
MLP050-1.5AC-A1
(Former 21xxx-Yzz)
MFS080-35/5S2C-3 二氧化碲, 532nm, 80MHz, 孔径35x5mm, 上升时间1us/mm, 偏转角68.9mrad, RF<4W  
MFS100-2C4BB-5 熔融石英, 300-400nm, 80-120MHz, 孔径2mm, 偏转角2.4mrad @ 355nm, 6mrad @ 100MHz @ 355nm, RF<6W  
MFS160-5/13S2C-3 二氧化碲,532nm, 160MHz, 孔径5x13mm, 上升时间1us/mm , 偏转角138mrad, RF<2W  
MFS400-.2C2V13-5 二氧化碲,650nm, 350-450MHz, 孔径0.2mm, 偏转角15.2mrad, 偏转角 61mrad @ 400MHz, RF<1W  
MFS500-.2C2B26-5 二氧化碲, 490-500nm, 450-550MHz, 孔径0.2mm, 偏转角11.6mrad @ 495nm, 偏转角58mrad @ 495nm @ 500MHz, RF<0.8W  
MM200-.2C17B34-5 磷化镓, 1.06-1.7um, 200MHz, 孔径0.2mm, 偏转角31.8mrad @ 1.06um, 51mrad @ 1.7um @ 500MHz, RF<2W  
MPP389-.15C17G-C-FOA 磷化镓, 1.06um, 389MHz, 孔径150um, 偏转角62mrad, RF<2.5W 占空比 <20%, RF 持续时间 <200nsec  
MTF096-2S2B43-3-1ST/-1ST 二氧化碲, 1.5-1.6um, 52.5-56.1MHz, 孔径2mm, 偏转角 7.4度, RF<4W  
MTF096-2S2B43-3-1ST/-1ST-1.2 二氧化碲, 1.5-1.6um, 92.53-98.89MHz, 孔径2mm, 分辨率 2.5nm, 偏转角7.4度, RF<4W  
MTF096-2S2B43-3-1ST/-1ST-2.5 二氧化碲, 1.5-1.6um, 92.53-98.89MHz, 孔径2mm, 分辨率2.5nm, 偏转角7.4度, RF<4W  
I-M041-xxC11xxx-P5-GH77 锗, 9.4um 或 10.6um, 40.68MHz, 孔径 9.6mm, RF功率 120W HP041-125ADG-A10
I-M041-10C11Q-P5-SY1 单晶体, 10.6um, 40.68MHz, 孔径6-8mm, RF功率100W A25041-x-5/600-s4k7u
I-M080-2C10G-4-AM3 石英晶体 1030-1064nm, 80MHz, 孔径2mm, 线性偏振, 压缩性, 85%衍射效率, RF功率 15W  
I-M080-2.5C10G-4-AM3 石英晶体, 1030-1064nm, 80MHz, 孔径2.5mm, 线性偏振, 压缩性, 80%衍射效率, RF 功率15W  
97-03388-03R1 (5080-296) 石英晶体, 1064nm, 80MHz, 孔径1.5mm, 线性偏振, 压缩性, 80%衍射效率, RF功率 20W  
97-03388-02R2 (5041-296) 石英晶体, 1064nm, 40.68MHz, 孔径1.5mm, 线性偏振, 压缩性, 80%衍射效率, RF 功率 20W  

STBR系列自由空间声光调制器AOM

自由空间声光调制器AOM

STBR系列带射频驱动的自由空间声光调制器(AOM)是用来改变和控制激光光束强度的。我们利用电子编程将微电子处理器直接与射频驱动连接。可模拟或数字输入控制所有的射频驱动的必要的组件。我们的自由空间AOM包装牢固其耐湿性和耐温性都很优良,非常适用于实验室和各种设备制造商。

主要型号和参数

型号 光谱范围 (nm) 上升时间(ns) 有效通光孔径 (mm) 调制带宽 (MHz) DE (%)
TEM-85-2 380-1600 280 2.0 2 80
TEM-85-10 380-1600 55 1.0 10 80
TEM-110-25 380-1600 22 0.5 25 80
TEM-200-50 380-1600 10 0.3 50 70
TEM-400-100 380-1600 5.5 0.075 100 50
TEM-800-200 380-1600 3 0.05 200 35
AMM-27-2 1000-2500 300 1 1.8 >80
AMM-80-4 1000-2500 160 1 4 >80
AMM-100-8 1000-2500 68 0.3 8 >80
FQM-80-2 200-1300 195 1.6 2.8 70
FQM-80-20 200-1300 30 1 18 70
FQM-200-40 200-1300 14 0.3 40 70
GEM-40-4 2000-11,000 125 1.5 5 70
GPM-200-50 600-1600 11 0.3 50 >75
GPM-400-100 600-1600 5.1 0.1 108 >65
GPM-800-200 600-1600 2.6 0.05 217 >40
GPM-1600-400 600-1600 1.4 0.025 400 >25
IPM-200-26 1000-1600 21 0.3 26 60
IPM-400-100 1000-1600 5 0.075 100 50

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